การปฏิวัติการผลิตชิป ความละเอียดนวัตกรรมและความยอดเยี่ยม

รายละเอียดสินค้า

การปฏิวัติการผลิตชิป ความละเอียดนวัตกรรมและความยอดเยี่ยม

ในแดนหน้าของบริการการหลอมชิปที่ทันสมัย เราสร้างพลังให้กับนวัตกรรม โดยการแปลงแนวคิดการออกแบบของคุณ ให้เป็นอุปกรณ์ครึ่งประสาทและ MEMS ที่มีประสิทธิภาพสูงด้วยสิ่งอํานวยความสะดวกที่ทันสมัย และทีมผู้เชี่ยวชาญที่มีประสบการณ์, เราให้บริการจากปลายสู่ปลายของคําตอบที่ปรับปรุงให้กับความต้องการพิเศษของคุณ เพียงแค่ให้แผนการออกแบบและรายละเอียดและเราจัดการกับส่วนที่เหลือ ส่งแผ่นและส่วนประกอบที่ได้รับการออกแบบอย่างแม่นยํา ที่ตรงกับมาตรฐานที่ต้องการมากที่สุด.

พอร์ตฟอลเล่ย์ที่กว้างขวางของวัสดุวอฟเฟอร์ของเรารวมถึงลิทธิียมไนโอเบท (LiNbO)₃),ลิทธิียม ทันทาเลต (LiTaO)₃),ควาร์ทซ์คริสตัลเดียว,กระจกซิลิก้าหลอม,กระจกโบโรซิลิกาต (BF33),กระจกโซดาแหลม,ผงซิลิคอนและสะพิมพ์ซึ่งทําให้เราสามารถรองรับการใช้งานในหลายสาขา

เทคโนโลยีการแปรรูปที่ทันสมัย

• ลิทโกราฟี:
  • อิเล็กตรอนเบย์ลิโตกราฟี (EBL): เหมาะสําหรับการสร้างรูปแบบความละเอียดสูงสุด ทําให้มีลักษณะขนาดนาโน สําหรับอุปกรณ์ฟอตอนและควอนตัมที่ทันสมัย
  • ลิทโกราฟีความใกล้ชิด: การแก้ไขที่คุ้มค่าสําหรับชิปไมโครฟลิวิด และเซ็นเซอร์ MEMS
  • ลิทโกราฟีสเตปเปอร์: การออกแบบความละเอียดสูงและความแม่นยําสูงสําหรับแผ่นแผ่นขนาดใหญ่ เหมาะสําหรับวงจรอินทิกรีต (IC) และองค์ประกอบทางออทติก
• การถัก:
  • การบดขั้วไอออน (IBE): ส่งผลิตการถักแบบเรียบ, anisotropic สําหรับอุปกรณ์คลื่นแสงและเสียงแม่นยําสูง
  • การถักยอนปฏิกิริยาลึก (DRIE): สามารถสร้างโครงสร้างความละเอียดสูงสําหรับเครื่องวัดความเร่ง MEMS เครื่อง gyroscope และเซ็นเซอร์เฉื่อย
  • รีแอคทีฟ อีออน เอทชิ่ง (RIE): การถักแบบหลากหลายสําหรับทรานซิสเตอร์แผ่นบาง (TFT) และช่องไมโครฟลิวได
• การเคลือบ:
  • การระเหยแสงอิเล็กตรอน: การฝากแผ่นบางความบริสุทธิ์สูงสําหรับอุปกรณ์ออฟโตอีเล็คทรอนิกส์และวงจรที่นําไฟฟ้าเหนือ
  • การกระจายแม็กเนตรอน: ผลิตเคลือบแบบเดียวกันสําหรับกรอง RF, อุปกรณ์ SAW และชั้นป้องกัน
  • LPCVD/PECVD/ALD: เทคนิคการฝังที่พัฒนาขึ้นสําหรับชั้นดีเอเล็คทริก, passivation, และเคลือบ nanostructured
• การผูกพัน:
  • การเชื่อมต่อแบบ anodic: สร้างรัดรัดรัดสําหรับเซ็นเซอร์ความดัน MEMS และอุปกรณ์ไมโครฟลิวได
  • การเชื่อมโยงแบบ Eutectic: รับประกันการเชื่อมต่อที่แข็งแกร่งและมีความต้านทานต่ําสําหรับอิเล็กทรอนิกส์พลังงานและบรรจุ LED
  • ผสมผสาน/ผสานสาย: ให้บริการทางแก้ไขยืดหยุ่นสําหรับการบูรณาการแบบไฮบริด และการบรรจุ IC
• การ ลด หนา, การ ตัด, และ การ ดัด:
  • การบดและบดละเอียด: สร้างแผ่นแผ่นบางมากสําหรับอิเล็กทรอนิกส์ยืดหยุ่นและบรรจุสินค้าที่ทันสมัย
  • การตัดและตัด: สามารถแยกแบบสะอาดและแม่นยําของ die สําหรับ ICs และอุปกรณ์ MEMS
  • การเจาะด้วยเลเซอร์: สร้างสายไมโครและสายซิลิคอนผ่าน (TSVs) สําหรับการบูรณาการ 3 มิติและการเชื่อมต่อ

ประวัติ ความ สําเร็จ: การ เปลี่ยน แปลง ความ คิด ให้ เป็น จริง

ความเชี่ยวชาญที่ผ่านการพิสูจน์ของเราได้ทําให้เกิดนวัตกรรมที่แปรปรวนในหลายสาขา

• อุปกรณ์คลื่นเสียงบนพื้นผิว (SAW): ผลิตเครื่องกรองและเซ็นเซอร์ SAW ที่มีประสิทธิภาพสูงสําหรับการสื่อสาร 5G และการใช้งาน IoT
• เครื่องแปลงวงแหวนลิทธิียมไนโอเบท: จําหน่ายเครื่องแปลงความละเอียดอ่อนสูง สําหรับคอมพิวเตอร์ควอนตัมและวงจรฟอทอนิกส์
• ชิปไมโครฟลิวได: ทําให้การแก้ไข Lab-on-a-chip สําหรับการวินิจฉัยทางการแพทย์ชีวภาพและการค้นพบยา
• เครื่องวัดความเร็วและเครื่องจิโรสโกป MEMS: ผลิตเซ็นเซอร์ความละเอียดสูงสําหรับระบบรถยนต์และอากาศ
• เครื่องนําคลื่นทางแสง: ผลิตเครื่องนําคลื่นความสูญเสียต่ําสําหรับระบบโฟตอนิกส์และ LiDAR ที่บูรณาการ

ทําไมต้องเลือกเรา

• การ แก้ไข จาก ทิศสู่ ทิศ: จากการให้คําปรึกษาด้านการออกแบบถึงการบรรจุสินค้าสุดท้าย เราให้การสนับสนุนต่อโปรเจคของคุณอย่างต่อเนื่อง
• การ ใช้ วัสดุ ได้ อย่าง หลากหลาย: การเข้าถึงวัสดุโวฟเฟอร์ที่หลากหลายสําหรับการใช้งานที่หลากหลาย
• เทคโนโลยีที่ก้าวหน้า: ใช้เทคนิคการผลิตล่าสุด เพื่อให้ผลงานได้ดีขึ้น
• ความเชี่ยวชาญที่พิสูจน์ได้: ประวัติของโครงการที่ประสบความสําเร็จในอุตสาหกรรมต่างๆ ตั้งแต่โทรคมนาคมถึงการดูแลสุขภาพ

ร่วมมือกับเรา เพื่อปลดปล่อยศักยภาพเต็มของการออกแบบของคุณ ไม่ว่าคุณจะพัฒนาอุปกรณ์ MEMS รุ่นต่อไปเราเป็นพันธมิตรที่เชื่อถือได้ในด้านนวัตกรรมมาทําการกําหนดใหม่อนาคตของเทคโนโลยีด้วยกัน